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半導(dǎo)體高低溫沖擊測(cè)試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱

半導(dǎo)體高低溫沖擊測(cè)試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱

簡(jiǎn)要描述:

半導(dǎo)體高低溫沖擊測(cè)試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱特別適用于半導(dǎo)體電子器件做溫度破壞測(cè)試,主要測(cè)試半導(dǎo)體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)高溫及低溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度,得以在Z短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。本試驗(yàn)箱根據(jù)試驗(yàn)需求及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分為三箱式和兩箱式,區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。

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半導(dǎo)體高低溫沖擊測(cè)試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱特別適用于半導(dǎo)體電子器件做溫度破壞測(cè)試,主要測(cè)試半導(dǎo)體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)溫及溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度,得以在Z短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。本試驗(yàn)箱根據(jù)試驗(yàn)需求及測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分為三箱式和兩箱式,區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。三箱式分為蓄冷室,蓄熱室和試驗(yàn)室,產(chǎn)品在測(cè)試時(shí)是放置在試驗(yàn)室。兩箱式分為高溫室和低溫室,是通過電機(jī)帶動(dòng)提籃運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)高低溫的切換,產(chǎn)品放在提籃里,是隨提籃起移動(dòng)的。

愛佩半導(dǎo)體高低溫沖擊測(cè)試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)主要核心配件均采用*的配件如法泰康或德比澤爾壓縮機(jī),控制器有韓三元、日本OYO、中中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)通三*供客戶選擇,繼電器有日本路宮和泉、三菱、施耐德,美杜邦環(huán)保冷媒,丹麥(DANFOSS)瑞典(AlfaLaval)等配件,假罰十,能確保冷熱沖擊試驗(yàn)箱長(zhǎng)期正常的運(yùn)行。

半導(dǎo)體器件(semiconductor device)通常,這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測(cè)光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別,有時(shí)也稱為分立器件。大部分二端器件(即晶體二管)的基本結(jié)構(gòu)是個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu),已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件 般是有源器件,典型代表是各種晶體管(又稱晶體三管)。

半導(dǎo)體高低溫沖擊測(cè)試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)表:

 

冷熱沖擊試驗(yàn)箱型號(hào)

 

 

AP-CJ-80A

AP-CJ-80B

AP-CJ-80C

AP-CJ-150A

AP-CJ-150B

AP-CJ-150C

AP-CJ-250A

AP-CJ-250B

AP-CJ-250C

AP-CJ-1000A

AP-CJ-1000B

AP-CJ-1000C

標(biāo)稱內(nèi)容積(升)

80

150

250

300

試驗(yàn)方式

氣動(dòng)風(fēng)門切換2溫室或3溫室方式

性能

高溫室

預(yù)熱溫度范圍

+60~+200℃

升溫速率※1

+60→+200℃≤30分鐘

低溫室

預(yù)冷溫度范圍

-75-0℃

降溫速率※1

+20→-75℃≤30分鐘

試驗(yàn)室

溫度偏差

±2℃

溫度范圍

TSL:(+60→+150)℃→(-40--10)℃;

TSU:(+60~+150)℃~(-55~-10)℃;

TSS:(+60~+150)℃~(-65~-10)℃

溫度恢復(fù)時(shí)間※2

5分鐘以內(nèi)

試樣擱架承載能力

30kg

試樣重量

7.5kg

7.5kg

10kg

10kg

內(nèi)部尺寸(mm)

W

500

600

700

1000

H

400

500

600

1000

D

400

500

600

1000

※1半導(dǎo)體高低溫沖擊測(cè)試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗(yàn)箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能。

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